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J-GLOBAL ID：200903092839813748

半導体ウェハ、その製造方法および使用

Inventor： グイド ヴェンスキ ,  ヴォルフガング ジーベルト ,  クラウス メスマン ,  ゲルハルト ハイアー ,  トーマス アルトマン ,  マルティン フュアファンガー
Applicant, Patent owner： ワッカー ジルトロニック ゲゼルシャフト フュア ハルプライターマテリアーリエン アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000240005
Publication number (International publication number)：2001127016
Application date： Aug. 08, 2000
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】 エピタキシャル半導体ウェハを提供する。【解決手段】 前面、裏面および前面に析出した半導体材料からなるエピタキシャル層を有する半導体ウェハにおいて、エピタキシャル層が0.13μm以下の最大局所的平坦値SFQRmaxおよび1cm2当たり散乱光中心0.14の最大密度を有し、半導体ウェハの前面がエピタキシャル層を析出する前に1μm×1μmの大きさの基準面でAFMにより測定した0.05〜0.29nmRMSの表面粗さを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

前面、裏面および前面に析出した半導体材料からなるエピタキシャル層を有する半導体ウェハにおいて、エピタキシャル層が0.13μm以下の最大局所的平坦値SFQRmaxおよび1cm2当たり散乱光中心0.14の最大密度を有し、半導体ウェハの前面がエピタキシャル層を析出する前に1μm×1μmの大きさの基準面でAFMにより測定した0.05〜0.29nmRMSの表面粗さを有することを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (5)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/06

FI (5)：

H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/06 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• エピタキシャルウエーハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-279515   Applicant：信越半導体株式会社
• ポリッシュ盤における研磨液の除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-117153   Applicant：ラップマスターエスエフティ株式会社
• ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-069078   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 研磨液および研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-312267   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 研磨用組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-280592   Applicant：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 化学機械研磨用スラリー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-262228   Applicant：直江津電子工業株式会社
• シリコンウェーハ及びその加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053093   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体ウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-140108   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• ウェーハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-050286   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• シリコンウエーハの表面粗さを改善する方法および表面粗さを改善したシリコンウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-282638   Applicant：信越半導体株式会社
• エピタキシャルウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-240948   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 研磨方法および研磨液用溶剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-028776   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社