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J-GLOBAL ID：200903096059194677

窒化物半導体発光素子

Inventor：
楠瀬 健

About 楠瀬 健

, 
坂本 貴彦

About 坂本 貴彦

, 
市原 隆志

About 市原 隆志


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003277959
Publication number (International publication number)：2005045038
Application date： Jul. 23, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
【課題】 発光素子における光の吸収を抑制し発光素子の光取り出し効率を向上させる。【解決手段】 本発明に係る窒化物半導体発光素子は、p電極を有するp型窒化物半導体層と、n電極を有するn型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子において、上記p型窒化物半導体層は、上記窒化物半導体発光素子からの光の一部を透過させる透明導電膜よりなる第一の層10a-1と、該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し該透明導電膜からの透過光を反射させる第二の層10a-2と、を少なくとも有することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
p電極を有するp型窒化物半導体層と、n電極を有するn型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子において、 前記p型窒化物半導体層は、前記窒化物半導体発光素子からの光の一部を透過させる透明導電膜よりなる第一の層と、該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し該透明導電膜からの透過光を反射させる第二の層と、を少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
F-Term (9)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (16)
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