III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小西富雅 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001360159
Publication number (International publication number)：2003163373
Application date： Nov. 26, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】短い波長(例えば波長:ほぼ530nm)を高い出力で放出可能なフリップチップタイプの共振型面発光素子を提供する。【解決手段】透光性の基板の上にn型層、発光層を含む層及びp型層を備え、n型層と基板との間に半導体多重層からなる第1の反射層を備え、p型層の上に第2の反射層を備え、発光層からの光を基板側から外部へ放出させる。

Claim (excerpt)：

透光性の基板の上にn型層、発光層を含む層及びp型層を備え、前記n型層と前記基板との間に半導体多重層からなる第1の反射層を備え、前記p型層の上に第2の反射層を備えてなり、前記発光層からの光は前記基板を通して外部へ放出される、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/183

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 5/183

F-Term (23)：

5F041AA11 , 5F041CA01 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA83 , 5F041CA92 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041FF14 , 5F073AA52 , 5F073AA55 , 5F073AB19 , 5F073BA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB14 , 5F073DA05 , 5F073EA07 , 5F073EA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-082869 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-049834 Applicant：株式会社リコー
化合物半導体積層構造を含むデバイスの作成方法及び化合物半導体積層構造の作成方法及びそれを用いて作成するデバイス及びそれを用いた光送信器及びそれを用いた光通信システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-228860 Applicant：キヤノン株式会社

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