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J-GLOBAL ID：201303066451809414

金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレート

Inventor： 今野 泰一郎 ,  藤倉 序章 ,  松田 三智子
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012174592
Publication number (International publication number)：2013058741
Application date： Aug. 07, 2012
Publication date： Mar. 28, 2013
Summary：

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのHVPE装置1は、Ga(金属)7aを収容するタンク(収容部)7を上流側に有し、成長用の基板11が配置される成長部3bを下流側に有する筒状の反応炉2と、ガス導入口64aを有する上流側端部64からタンク7を経由して成長部3bに至るように配置され、上流側端部64からガスを導入してタンク7に供給し、ガスとタンク7内のGaとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部3bに供給する透光性のガス導入管60と、反応炉2内に配置され、ガス導入管60の上流側端部64を成長部3bから熱的に遮断する熱遮蔽板9A、9Bとを備え、ガス導入管60は、上流側端部64と熱遮蔽板9Bとの間で屈曲された構造を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属を収容する収容部を上流側に有し、成長用の基板が配置される成長部を下流側に有する筒状の反応炉と、 ガス導入口を有する上流側端部から前記収容部を経由して前記成長部に至るように配置され、前記上流側端部からガスを導入して前記収容部に供給し、前記ガスと前記収容部内の前記金属とが反応して生成された金属塩化物ガスを前記成長部に供給する透光性のガス導入管と、 前記反応炉内に配置され、前記ガス導入管の前記上流側端部を前記成長部から熱的に遮断する熱遮蔽板とを備え、 前記ガス導入管は、前記上流側端部と前記熱遮蔽板との間で屈曲された構造を有する金属塩化物ガス発生装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/448 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  H01L 33/32

FI (5)：

H01L21/205 ,  C23C16/448 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/14 ,  H01L33/00 186

F-Term (70)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TH01 ,  4G077TH06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA12 ,  4K030KA46 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB06 ,  5F045BB14 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DA60 ,  5F045DP09 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EC01 ,  5F045EF01 ,  5F045EF09 ,  5F045EF11 ,  5F045EK06 ,  5F045EM09 ,  5F141AA31 ,  5F141CA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA64

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-113697   Applicant：松下電器産業株式会社
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-085154   Applicant：古河機械金属株式会社
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-120045   Applicant：古河機械金属株式会社
• 水素化ガリウムガスの製造方法および窒化ガリウム結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-071813   Applicant：住友精化株式会社
• III族窒化物結晶の成長方法およびIII族窒化物結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-042194   Applicant：住友電気工業株式会社
• 単結晶形成用基板、III族窒化物単結晶の作製方法、およびIII族窒化物単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-029136   Applicant：日本碍子株式会社
• 窒化物系半導体基板及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-281195   Applicant：日立電線株式会社
• 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-295140   Applicant：シャープ株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-211603   Applicant：住友化学工業株式会社
• 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-142948   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-138106   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-379618   Applicant：株式会社日立国際電気