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J-GLOBAL ID：201403089443823553

近接場光を用いたエッチング方法

Inventor：
大津 元一

About 大津 元一

, 
八井 崇

About 八井 崇

, 
野村 航

About 野村 航


Applicant, Patent owner：
特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構

About 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構


Agent (1)： 安彦 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012156812
Publication number (International publication number)：2014022411
Application date： Jul. 12, 2012
Publication date： Feb. 03, 2014
Summary：
【課題】基板積層体の表面に存在するナノオーダーの不要な凸部を、その凸部の材料に応じて選択的にエッチングし平坦化することを目的とする。【解決手段】チャンバ11内に基板積層体10を載置するとともに、チャンバ11内に反応性ガスを導入する。凸部21に近接場光を発生しうる波長の光を、基板積層体10に照射する。光の照射により凸部21の局所領域に選択的に発生した近接場光に基づく非共鳴過程を経て、凸部の素材に選択的に反応する反応性ガスの活性種を生成させる。そして、生成された活性種と凸部21とを化学反応させて反応性生物を生成させることにより、凸部21をその素材に基づき選択的に除去する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板の表面に積層された前記基板と異なる材料よりなる薄膜と、を有する基板積層体の表面において、前記薄膜により形成されたナノオーダーの凸部を前記凸部の素材に基づき選択的に除去する表面平坦化方法であって、 チャンバ内に前記基板積層体を載置する載置工程と、 前記チャンバ内に、活性種となった場合に前記凸部の素材に基づき前記凸部と選択的に反応する反応性ガスを導入する導入工程と、 前記凸部に近接場光を発生しうる波長の光を、前記基板積層体に照射する照射工程と、 前記光の照射により前記凸部の局所領域に発生した近接場光に基づく非共鳴過程を経て、前記反応性ガスを解離させて前記活性種を生成させる活性種生成工程と、 生成された前記活性種と前記凸部とを化学反応させて反応性生物を生成させることにより、前記凸部を前記凸部の素材に基づき選択的に除去する除去工程と、 を有することを特徴とする表面平坦化方法。
IPC (2)：
H01L 21/302 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L21/302 201Z ,  H01L21/30 502D
F-Term (7)：
5F004AA09 ,  5F004AA11 ,  5F004BA19 ,  5F004BB03 ,  5F004BB26 ,  5F004EA34 ,  5F146AA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
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