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J-GLOBAL ID：201503087107404229

表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス

Inventor： 大竹 晃浩 ,  間野 高明 ,  宮田 典幸 ,  安田 哲二
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013195290
Publication number (International publication number)：2015061025
Application date： Sep. 20, 2013
Publication date： Mar. 30, 2015
Summary：

【課題】表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造を提供する。【解決手段】清浄化されたSi(111)基板表面上に、分子線エピタキシー法で厚さが少なくとも2nm以上のInAs二次元層をバッファー層として形成した後、さらにその上に、分子線エピタキシー法で表面の平坦性に優れ且つ低欠陥密度であるGaSbエピタキシャル薄膜を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

清浄化されたSi(111)基板表面上に、分子線エピタキシー法で厚さが少なくとも2nm以上のInAs二次元層をバッファー層として形成した後、さらにその上に、分子線エピタキシー法で表面の平坦性に優れ且つ低欠陥密度であるGaSbエピタキシャル薄膜を形成することを特徴とするGaSb/InAs/Si(111)構造の形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/40 ,  C30B 23/08 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/10

FI (7)：

H01L21/203 M ,  C30B29/40 502K ,  C30B29/40 A ,  C30B23/08 M ,  C23C14/06 G ,  H01L29/78 301B ,  H01L31/10 A

F-Term (39)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE41 ,  4G077DA05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA01 ,  4G077SC01 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029CA01 ,  4K029FA04 ,  4K029FA06 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049PA01 ,  5F049PA18 ,  5F049QA18 ,  5F049SS03 ,  5F049SS09 ,  5F049WA01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL05 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

• 化合物半導体積層体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-029329   Applicant：旭化成株式会社
• Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-314912   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• Si基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-067839   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• III-V族デバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-098017   Applicant：アイメック
• 特公昭47-012200
  
• 連続した膜を使用する集積されたMIS光電性デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-553660   Applicant：バリアン・メディカル・システムズ・インコーポレイテッド
• 特開平4-252019
  
• 特開昭49-126290
  
• 連続した膜を使用する集積されたMIS光電性デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-519304   Applicant：バリアン・メディカル・システムズ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
• 半導体ウエハおよび半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-146614   Applicant：住友電気工業株式会社
• 赤外線撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-277168   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (14)

• 半導体ウエハおよび半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-146614   Applicant：住友電気工業株式会社
• 赤外線撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-277168   Applicant：富士通株式会社
• 化合物半導体積層体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-029329   Applicant：旭化成株式会社
• Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-314912   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• Si基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-067839   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• III-V族デバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-098017   Applicant：アイメック
• 特公昭47-012200
  
• 特公昭47-012200
  
• 連続した膜を使用する集積されたMIS光電性デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-553660   Applicant：バリアン・メディカル・システムズ・インコーポレイテッド
• 特開平4-252019
  
• 特開平4-252019
  
• 特開昭49-126290
  
• 特開昭49-126290
  
• 連続した膜を使用する集積されたMIS光電性デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-519304   Applicant：バリアン・メディカル・システムズ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si(111)
• Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111)
• Study of interfaces chemistry in type-II GaSb/InAs superlattice structures
• 28a-G2-11 GaAs基板上GaSb MOS構造の作製 Fabrication of GaSb MOS Capacitor on GaAs Substrates
• GaSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Atomic-Layer-Deposited HfAlO as Gate Dielectric

Cited by examiner (7)

• High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si(111)
• Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111)
• Study of interfaces chemistry in type-II GaSb/InAs superlattice structures
• 28a-G2-11 GaAs基板上GaSb MOS構造の作製 Fabrication of GaSb MOS Capacitor on GaAs Substrates
• GaSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Atomic-Layer-Deposited HfAlO as Gate Dielectric
• Study of interfaces chemistry in type-II GaSb/InAs superlattice structures
• 28a-G2-11 GaAs基板上GaSb MOS構造の作製 Fabrication of GaSb MOS Capacitor on GaAs Substrates