窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 石田悟
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011129449
Publication number (International publication number)：2012199502
Patent number：5943407
Application date： Jun. 09, 2011
Publication date： Oct. 18, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】希土類元素と少なくともMgとが添加されており、添加されている希土類元素が、Euであり、添加されているMgの濃度が、1×1017〜3×1019cm-3である窒化物半導体を含む発光層を備えていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/32 ( 201 0.01) , C09K 11/08 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 33/00 186 , C09K 11/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-016637 Applicant：松下電器産業株式会社
発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-292559 Applicant：昭和電工株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-097677 Applicant：シャープ株式会社

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半導体発光素子およびその製造方法
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