表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013195290
Publication number (International publication number)：2015061025
Patent number：6153224
Application date： Sep. 20, 2013
Publication date： Mar. 30, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】清浄化されたSi(111)基板表面上に、Inを蒸着し、次いでInとAsを供給して分子線エピタキシー法で厚さが2nm以上9nm以下のInAs二次元層をバッファー層として形成した後、さらにその上に、分子線エピタキシー法でGaSbエピタキシャル薄膜を形成することを特徴とするGaSb/InAs/Si(111)構造の形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/203 ( 200 6.01) , C30B 29/40 ( 200 6.01) , C30B 23/08 ( 200 6.01) , C23C 14/06 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 31/10 ( 200 6.01)

FI (7)：

H01L 21/203 M , C30B 29/40 502 K , C30B 29/40 A , C30B 23/08 M , C23C 14/06 G , H01L 29/78 301 B , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体ウエハおよび半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-146614 Applicant：住友電気工業株式会社
赤外線撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-277168 Applicant：富士通株式会社
化合物半導体積層体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-029329 Applicant：旭化成株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si(111)
Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111)
Study of interfaces chemistry in type-II GaSb/InAs superlattice structures

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