ダイヤモンド発光整流素子およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016031787
Publication number (International publication number)：2017152465
Application date： Feb. 23, 2016
Publication date： Aug. 31, 2017
Summary：

【課題】ボロンやリンなどのドーピング層を有することなく、深紫外発光が可能なダイヤモンド発光整流素子を提供すること。【解決手段】ダイヤモンドの表面を水素で終端した領域1、当該水素終端した領域に隣接すると共に、前記ダイヤモンドの表面を酸素で終端した領域2、当該水素終端した領域1に設けられた水素終端側電極3、当該酸素終端した領域2に設けられた酸素終端側電極4とを備え、水素終端側電極3と酸素終端側電極4との間を流れる電流に対して、整流特性を示すことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの表面を水素で終端した領域、当該水素終端した領域に隣接すると共に、前記ダイヤモンドの表面を酸素で終端した領域、当該水素終端した領域に設けられた水素終端側電極、当該酸素終端した領域に設けられた酸素終端側電極とを備え、前記水素終端側電極と前記酸素終端側電極との間を流れる電流に対して、整流特性を示すことを特徴とするダイヤモンド発光素子。

IPC (7)：

H01L 33/34 , H05B 33/14 , H05B 33/26 , H05B 33/10 , H05B 33/04 , C01B 32/90 , H01L 21/28

FI (7)：

H01L33/34 , H05B33/14 Z , H05B33/26 Z , H05B33/10 , H05B33/04 , C01B31/30 , H01L21/28 301B

F-Term (54)：

3K107AA02 , 3K107AA06 , 3K107BB02 , 3K107BB04 , 3K107BB05 , 3K107CC04 , 3K107CC05 , 3K107CC07 , 3K107CC23 , 3K107CC36 , 3K107CC45 , 3K107DD44Z , 3K107DD45Z , 3K107DD54 , 3K107EE48 , 3K107FF04 , 3K107FF19 , 3K107GG28 , 4G146AA04 , 4G146MA09 , 4G146MA19 , 4G146MB03 , 4G146MB12 , 4G146MB23 , 4G146NA01 , 4G146NA02 , 4G146NA21 , 4G146NB01 , 4G146NB06 , 4G146NB16 , 4G146NB18 , 4G146PA09 , 4G146PA12 , 4G146PA15 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104GG04 , 5F241AA03 , 5F241AA14 , 5F241CA02 , 5F241CA33 , 5F241CA77 , 5F241CA83 , 5F241CA99 , 5F241CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (17)

ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-089516 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長, 大串秀世, 竹内大輔, 梶村皓二
半導体ダイヤモンド及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-235156 Applicant：松下電器産業株式会社
ダイヤモンドエミッタアレイ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-322775 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 凸版印刷株式会社

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Cited by examiner (17)

ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-089516 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長, 大串秀世, 竹内大輔, 梶村皓二
半導体ダイヤモンド及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-235156 Applicant：松下電器産業株式会社
ダイヤモンドエミッタアレイ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-322775 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 凸版印刷株式会社

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Cited by applicant (3)

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