特許
J-GLOBAL ID：200903032813261124

半導体装置及びその製造方法

発明者：
日浦 英文

日浦 英文 について

, 
多田 哲也

多田 哲也 について

, 
金山 敏彦

金山 敏彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-315627
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123657
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】 ナノスケール領域のボトムアップ型微細加工方法とそれを用いて製造される半導体装置を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブに代表されるナノ細線材料2に関して、外部からエネルギーを投入することで局所的に発生するジュール熱、光又は熱電子を、外部から添加される原料9の化学反応や固相成長やナノ細線材料2自身の物性変換のための微小エネルギー4として利用することにより、ナノ細線材料2の近傍のみを自己整合的・自己制限的に加工する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ナノ細線材料に対して外部からエネルギーを投入することで局所的に微小エネルギーを発生させ、この微小エネルギーを利用して外部から添加される原料に対して化学反応又は固相成長を起こさせることにより、ナノ細線材料の近傍のみを自己整合的に加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (12件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  B82B 3/00 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  C01B 31/02
FI (11件)：
H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  B82B3/00 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310E ,  H01L21/268 F ,  H01L21/20 ,  C01B31/02 101F
Fターム (50件)：
4G146AA11 ,  4G146AD29 ,  4G146BA04 ,  4G146CB11 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB09 ,  5F110CC10 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF12 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK39 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ11 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB06 ,  5F152BB07 ,  5F152BB08 ,  5F152CE02 ,  5F152CE03 ,  5F152CE08 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11 ,  5F152FF29 ,  5F152FF41 ,  5F152FF43 ,  5F152FF44 ,  5F152FF45 ,  5F152FF46
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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