研究者

J-GLOBAL ID：201801019015861992 更新日: 2022年10月02日

森田行則

モリタユキノリ | Yukinori Morita

所属機関・部署：
職名：研究グループ長
ホームページURL (1件)： https://staff.aist.go.jp/y.morita/index.html

研究キーワード (3件)：走査プローブ顕微鏡 , High-k , トンネルFET

論文 (35件)：

Yukinori Morita, Koichi Fukuda, Yongxun Liu, Takahiro Mori, Wataru Mizubayashi, Shin-ichi O'uchi, Hiroshi Fuketa, Shintaro Otsuka, Shinji Migita, Meishoku Masahara, et al. Tunnel FinFET CMOS inverter with very low short-circuit current for ultralow-power Internet of Things application. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 4
Yukinori Morita, Koichi Fukuda, Takahiro Mori, Wataru Mizubayashi, Shinji Migita, Kazuhiko Endo, Shin-ichi O'uchi, Yongxun Liu, Meishoku Masahara, Takashi Matsukawa, et al. Introduction of SiGe/Si heterojunction into novel multilayer tunnel FinFET. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 4
Yukinori Morita, Takahiro Mori, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Koichi Fukuda, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shin-ichi O'uchi, Yongxun Liu, Meishoku Masahara, et al. Improvement of epitaxial channel quality on heavily arsenic- and boron-doped Si surfaces and impact on performance of tunnel field-effect transistors. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2015. 113. 173-178
Y. Morita, T. Maeda, H. Ota, W. Mizubayashi, S. O'uchi, M. Masahara, T. Matsukawa, K. Endo. Novel Wafer-Scale Uniform Layer-by-Layer Etching Technology for Line Edge Roughness Reduction and Surface Flattening of 3D Ge Channels. 2015 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM). 2015
Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Meishoku Masahara, Tatsuro Maeda. Impact of H-2, O-2, and N-2 anneals on atomic-scale surface flattening for 3-D Ge channel architecture. 2015 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW). 2015

もっと見る

MISC (100件)：

もっと見る

特許 (25件)：

もっと見る

学位 (1件)：

博士

所属学会 (4件)：

IEEE , 電子情報通信学会 , 日本表面真空学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM