特許
J-GLOBAL ID：200903002527690917

半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
荒井 利行

荒井 利行 について

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河合 亮成

河合 亮成 について

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土山 洋史

土山 洋史 について

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金井 史幸

金井 史幸 について

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中林 伸一

中林 伸一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-280740
公開番号（公開出願番号）：特開2009-027198
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】ウェハのエッジにおける薄膜の剥離に起因する異物の発生を防ぐ。【解決手段】たとえば3個の研磨ドラム4A〜4Cを用いてウェハ1のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム4Aは相対的にウェハ1のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム4Bは相対的にウェハ1のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム4Cは相対的にウェハ1のエッジの下面を研磨する。それにより、種々のウェハ1のエッジ形状に対して、そのエッジ全域において成膜された薄膜を除去することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
(a)平坦な素子形成面と、それに対向する平坦な裏面と、前記平坦な面に対して角度がついた領域を含むエッジ部とを有する半導体ウェハを準備する工程、 (b)前記半導体ウェハの表面に積層構造の金属膜を形成する工程、 (c)前記エッジ部における前記金属膜を複数の研磨ドラムを用いて研磨する工程、 を含み、 前記(c)工程は、 (c-1)前記平坦な素子形成面および裏面に対して垂直な回転軸を有する第1の研磨ドラムにて、前記エッジ部の端部を研磨する工程、 (c-2)前記平坦な素子形成面および裏面に対して傾斜した回転軸を有する第2の回転ドラムにて、前記エッジ部の前記素子形成面側を研磨する工程、 (c-3)前記平坦な素子形成面および裏面に対して傾斜した回転軸を有する第3の回転ドラムにて、前記エッジ部の前記裏面側を研磨する工程、 を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  B24B 9/00
FI (3件)：
H01L21/304 621E ,  H01L21/304 622X ,  B24B9/00 601H
Fターム (10件)：
3C049AA06 ,  3C049AA07 ,  3C049AA09 ,  3C049AA13 ,  3C049AA14 ,  3C049AA18 ,  3C049CA05 ,  3C049CB03 ,  3C049CB04 ,  3C049CB09
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (14件)
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