エッチング液

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡田数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-117882
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210144
出願日： 2005年04月15日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】好適なエッチング速度の選択が容易であり、安定したエッチング速度を持続でき、更には、容易に再利用が可能で、再利用場面が拡大された、エッチング液を提供する。特にシリコンウエハに要求されるウェハの平坦度、光沢度の向上、ウエハ全体の「うねり」抑制が充分に期待できる。【解決手段】少なくとも、弗酸、硝酸およびヘキサフルオロ珪酸を含むエッチング液であって、弗酸として弗化水素ガスを使用するか、または、硝酸として発煙硝酸を使用して調製されたエッチング液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも、弗酸、硝酸およびヘキサフルオロ珪酸を含むエッチング液であって、弗酸として弗化水素ガスを使用するか、または、硝酸として発煙硝酸を使用して調製されたことを特徴とするエッチング液。

IPC (1件)：

H01L21/308

FI (1件)：

H01L21/308 B

Fターム (4件)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043EE33 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (13件)

シリコンウエハのエッチング液およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104408 出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
ウェーハのエッチング処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-066408 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
エッチングによりウエーハを平坦化する方法およびウェーハ平坦化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-063787 出願人：信越半導体株式会社

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審査官引用 (7件)

特開平3-001537
特開平3-001537
半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-012070 出願人：株式会社東芝

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