特許

J-GLOBAL ID：200903005213723143

表面評価装置及び表面評価方法

発明者： 片岡 俊彦 ,  和田 勝男
出願人/特許権者： 株式会社シリコンテクノロジー ,  片岡 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170473
公開番号（公開出願番号）：特開2002-365234
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】 試料表面の全方向にわたるスクラッチ、及び表面粗さや表面形状の方向依存性を評価する装置と方法を提供。【解決手段】 反射光を最小限に抑え、かつ散乱光のみを発生させる入射角度で入射光を、試料表面に照射する照射手段、散乱光を結像させる結像レンズ及びCCDの検出手段、及び記録手段を有する表面評価装置において、予め照射光1の中心が試料3の測定領域の回転中心と一致されており、試料を特定の相対角度ωで断続的または連続的に回転させて、各相対角度毎のデータを、記録、解析し、試料表面の全方向にわたるスクラッチ、及び表面粗さや表面形状の方向依存性を評価する。

請求項（抜粋）：

試料ステージ上に載置された試料表面に、反射光が最小となる入射角度で照射光を照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、試料表面からの散乱光を結像させる結像レンズ及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCDからなる散乱光検出手段と、該CCDからの電気信号を記録させる記録手段とを有する表面評価装置において、前記試料ステージが試料表面の法線を軸にして回転可能であり、かつ試料の測定領域が回転の中心となるように設定されてなることを特徴とする表面評価装置。

IPC (5件)：

G01N 21/956 ,  G01B 11/30 ,  G02B 21/06 ,  G02B 21/36 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01N 21/956 A ,  G01B 11/30 A ,  G02B 21/06 ,  G02B 21/36 ,  H01L 21/66 J

Fターム (73件)：

2F065AA49 ,  2F065AA50 ,  2F065BB01 ,  2F065BB25 ,  2F065CC19 ,  2F065DD05 ,  2F065DD06 ,  2F065DD09 ,  2F065DD12 ,  2F065FF41 ,  2F065GG05 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065HH16 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL04 ,  2F065LL13 ,  2F065LL15 ,  2F065LL33 ,  2F065LL62 ,  2F065MM02 ,  2F065MM16 ,  2F065NN11 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ42 ,  2F065QQ43 ,  2F065QQ51 ,  2F065UU01 ,  2F065UU05 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051CB05 ,  2G051CD07 ,  2G051DA07 ,  2G051DA08 ,  2G051EA14 ,  2G051EA25 ,  2G051EC03 ,  2G051ED07 ,  2H052AC04 ,  2H052AC09 ,  2H052AC15 ,  2H052AC16 ,  2H052AC27 ,  2H052AC34 ,  2H052AD16 ,  2H052AD18 ,  2H052AD21 ,  2H052AD34 ,  2H052AF02 ,  2H052AF14 ,  2H052AF21 ,  4M106AA01 ,  4M106CA17 ,  4M106CA41 ,  4M106DB04 ,  4M106DB08 ,  4M106DB12 ,  4M106DB14 ,  4M106DB15 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05 ,  4M106DJ06 ,  4M106DJ32

引用特許：

審査官引用 (13件)

• ウエハ検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-359394   出願人：株式会社日立製作所
• 異物等の欠陥検出方法およびそれを実行する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-031676   出願人：株式会社日立製作所
• 欠陥評価装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-266466   出願人：三井金属鉱業株式会社
• 検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-228183   出願人：株式会社ニコン
• マクロ検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-332208   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 欠陥検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-262520   出願人：株式会社神戸製鋼所, ジェネシス・テクノロジー株式会社
• 半導体基板の評価装置および評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183906   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 試料ステージ及びそれを用いた粒径計測装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-103354   出願人：日本分光株式会社, 森勇蔵, 科学技術振興事業団
• 表面評価装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-150584   出願人：株式会社シリコンテクノロジー, 片岡俊彦
• 表面評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-150583   出願人：株式会社シリコンテクノロジー, 片岡俊彦
• 特開平1-117024
  
• 結晶欠陥評価方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085566   出願人：新日本製鐵株式会社
• 欠陥検査装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-337002   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社