特許
J-GLOBAL ID：200903006808638804
結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-029035
公開番号（公開出願番号）：特開2008-254999
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】フラックス法において、用いるフラックスの純度を高く確保しつつ、フラックスの材料コストを節約し、更に作業効率を向上させる方法を提供する。【解決手段】ナトリウム(Na)精製装置130には、精製後のNaを液体状態で保持するNa保持管理装置140が設けられており、このNa保持管理装置140には、100°Cに維持された液体Na供給管139を介して、液体Naが供給される。更に、このNa保持管理装置140は、自身の内部空間を満たすアルゴン(Ar)ガスの状態を管理するためのArガス精製装置141を有している。したがって、Na精製装置130から供給される精製後の液体のNaは、液体Na供給管139,Na保持管理装置140,配管149を介して、所望のタイミングで蛇口121の開閉操作に基づいて自在に坩堝cの中に取り出すことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
フラックス材料として少なくともナトリウム(Na)を用いて、 III族窒化物系化合物半導体を結晶成長させるフラックス法を行うための結晶成長装置において、
前記 III族窒化物系化合物半導体を結晶成長させる高温高圧炉と、
前記高温高圧炉の炉口に連結されて大気から遮断され、少なくとも前記炉口の開口時に前記高温高圧炉内の雰囲気と同じ気体成分混合比の雰囲気に内部が保持されるグローブボックスと、
前記グローブボックスに連結されて、前記グローブボックス内に、精製された液体のナトリウム(Na)を、大気が遮断された状態で供給するNa精製装置と
を有する
ことを特徴とする結晶成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG06
, 4G077EA06
, 4G077EG25
, 4G077EG26
, 4G077EG30
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA28
, 4G077QA34
, 4G077QA38
, 4G077QA52
, 4G077QA58
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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