特許
J-GLOBAL ID：200903006903086649

半導体装置、電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
大田 一樹

大田 一樹 について

, 
川中 雅史

川中 雅史 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (2件)： 岩壁 冬樹 ,  須藤 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-420001
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183551
出願日： 2003年12月17日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 寄生抵抗の増大を生じることなくゲートリーク電流を低減し、素子の耐圧を向上させることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 基板101上に、バッファ層102、チャネル層103、電子供給層104、バリア層105およびキャップ層106が順に積層され、キャップ層106上にゲート電極108が形成される。電子供給層104は、バッファ層102よりもa軸格子定数が小さく、かつ、チャネル層103よりも電子親和力の小さいAlGaNで構成される。バリア層105、電子供給層104よりも電子親和力が小さいAlNで構成される。キャップ層106は、バッファ層102とa軸格子定数がほぼ整合し、かつ、バリア層102よりもAlNの混晶比が小さいGaNで構成される。バリア層105は、ウェットエッチングによって形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、バッファ層、チャネル層、電子供給層、バリア層およびキャップ層がこの順序で積層され、該キャップ層上に電極が形成される半導体装置において、 前記電子供給層が、前記バッファ層よりもa軸格子定数が小さく、かつ、前記チャネル層よりも電子親和力の小さい窒化物系半導体で構成され、 前記バリア層が、前記電子供給層の最表面を構成する窒化物系半導体よりも電子親和力が小さく、かつ、AlNの混晶比が大きい窒化物系半導体で構成され、 前記キャップ層が、前記バッファ層とa軸格子定数がほぼ整合し、かつ、前記バリア層よりもAlNの混晶比が小さい窒化物系半導体で構成される ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (22件)：
5F102FA00 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • コネクタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-016426   出願人：日本航空電子工業株式会社
審査官引用 (13件)
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