特許
J-GLOBAL ID：200903008674705723
溶液による半導体基板の処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178938
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012494
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 研磨液を用いた研磨を終えて回転定盤から取外した直後の半導体基板表面に付着した砥粒、パーティクル及び貴金属を速やかに除去し、これにより基板表面に固着砥粒や金属析出物に起因した異常なピットを生じさせない。【解決手段】 研磨液を用いて基板表面を研磨した半導体基板17を回転定盤11から取外した直後に酸化剤を含有し酸化還元電位が10mV以上である水溶液22を基板17の表面に噴霧するか、又は水溶液22に基板17を浸漬する。水溶液22はアルカリを更に含有し、pHが8.0以上であるか、又は水溶液22は酸を更に含有し、pHが6.5以下であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
研磨液を用いて基板表面を研磨した半導体基板(17)を回転定盤(11)から取外した直後に酸化剤を含有し酸化還元電位が10mV以上である水溶液(22)を前記基板(17)の表面に噴霧することを特徴とする溶液による半導体基板の処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 647
H01L 21/304 622 Q
, H01L 21/304 647 Z
