減衰型位相シフトマスクおよびそれを製造するためのプロセス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130616
公開番号（公開出願番号）：特開平7-333825
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】酸化シリコン基板へのエッチングなしに、正確な180°の位相シフトを与える減衰型位相シフトマスクを提供する。【構成】透明な基板12上に形成された約3〜10%の透過を与える厚さの第1の層10と、前記の第1の層の上に形成された所望の位相シフトを与える厚さの透明な物質よりなる第2の層16と、を備えている。180°の位相シフトや、i-線の波長(365nm)に対しては、クロムが第1の層として用いられた場合、約25〜75nmの範囲の厚さが用いられ、二酸化シリコンが第2の層として用いられた場合は、約400〜450nmの範囲の厚さが用いられる。酸化物はドライエッチングされてもよいが、等方性ウェットエッチングは、より優れた気中のイメージ(aerial image)を与える。

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された約3〜10%の範囲の透過率をもたらすような厚さの第1層と、前記第1層上に形成され所望の位相シフトを与えるような厚さの透明な物質を含む第2層と、を備える減衰型位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平4-162039
フオトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-152084 出願人：日本電気株式会社
移相マスクおよびマスキング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-241390 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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