特許
J-GLOBAL ID：200903024686917470

半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法

発明者：
田中 寿典

田中 寿典 について

, 
細川 泰伸

細川 泰伸 について

, 
渋谷 裕樹

渋谷 裕樹 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-250974
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010894
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】 半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。 【解決手段】 基板(10)の表面部分には活性層(12)で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも1つの凹部(20)及び/又は凸部(21)を形成する。凹部及/又は凸部は半導体層(11、13)に結晶欠陥を発生させないように、第1の傾斜面(22)、第2の傾斜面(23)、又は第1,2の傾斜角θ1、θ2を有する側面形状とする。好ましくは、θ1>θ2となるような第1,2の傾斜面(22,23)もしくは突出した曲面の側面(26)で構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板表面上に基板とは材質の異なる半導体層を備えており、該基板の表面部分には凹部及び/又は凸部が形成された半導体素子において、 上記凹部及び/又は凸部の側面には少なくとも2つ以上の傾斜角の異なる傾斜面を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (16件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA61 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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