特許
J-GLOBAL ID：200903047892332772

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
武田 隆信

武田 隆信 について

, 
渡邊 修

渡邊 修 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-014354
公開番号（公開出願番号）：特開2005-042085
出願日： 2004年01月22日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【解決手段】 珪素を含有する繰り返し単位と、下記一般式(1)で示される置換基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物。 【化1】(A1はフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルから選ばれる2価の基。R1、R2はそれぞれ独立に炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基。又は、R1、R2は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。R3は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
珪素を含有する繰り返し単位と、下記一般式(1)で示される置換基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。
IPC (4件)：
C08F230/08 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027
FI (4件)：
C08F230/08 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R
Fターム (60件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL16P ,  4J100AL39Q ,  4J100AL39R ,  4J100AL46Q ,  4J100AL87R ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04R ,  4J100BA05Q ,  4J100BA10P ,  4J100BA10Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA20P ,  4J100BA40P ,  4J100BA72P ,  4J100BA80P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58Q ,  4J100BC60R ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA36 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (13件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM