半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：宮崎昭夫 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-165191
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005387
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】容量特性、特に低電圧特性が改善された容量素子を有する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】一般式ABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体層と、この誘電体層を挟んで配置された下部電極および上部電極とを有する容量素子を有する半導体記憶装置の製造方法において、下部電極を構成する導電層上に、有機金属気相成長法により、誘電体層を構成する金属元素と同種の少なくとも一種の金属元素を含有する初期核を形成する第1の工程と、前記初期核上に、有機金属気相成長法により、前記初期核と誘電体層のいずれにも含有される金属元素と同種の少なくとも一種の金属元素を、前期初期核中の当該金属元素の含有比率より大きい比率で含有する緩衝層を形成する第2の工程と、前記緩衝層上に、有機金属気相成長法により、ペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体層を形成する第3の工程を実施する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式ABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体層と、この誘電体層を挟んで配置された下部電極および上部電極とを有する容量素子を有する半導体記憶装置の製造方法であって、下部電極を構成する導電層上に、有機金属気相成長法により、誘電体層を構成する金属元素と同種の少なくとも一種の金属元素を含有する初期核を形成する第1の工程と、前記初期核上に、有機金属気相成長法により、前記初期核と誘電体層のいずれにも含有される金属元素と同種の少なくとも一種の金属元素を、前期初期核中の当該金属元素の含有比率より大きい比率で含有する緩衝層を形成する第2の工程と、前記緩衝層上に、有機金属気相成長法により、ペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体層を形成する第3の工程とを有する半導体記憶装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L27/105 , C23C16/30 , H01L21/316

FI (3件)：

H01L27/10 444C , C23C16/30 , H01L21/316 X

Fターム (26件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA19 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BJ04 , 5F083FR01 , 5F083GA21 , 5F083JA12 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-255972 出願人：セイコーエプソン株式会社
酸化イリジウム薄膜上の成膜方法とその応用
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-169756 出願人：三菱マテリアル株式会社
電子デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104146 出願人：三菱電機株式会社

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