特許
J-GLOBAL ID：200903048932023626

新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
小林 克浩

小林 克浩 について

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大澤 洋一

大澤 洋一 について

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金生 剛

金生 剛 について

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渡辺 武

渡辺 武 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-176044
公開番号（公開出願番号）：特開2008-007409
出願日： 2006年06月27日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【解決手段】一般式(1)で示されるスルホン酸塩。(M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン。)【効果】本発明のスルホン酸は、α,β位のみフッ素で置換されているため強い酸性度を示し、ヒドロキシル基を有するため水素結合等により酸拡散長を適度に抑制できる。また、酸ハロゲン化物、酸無水物、ハロゲン化アルキルと反応させることにより様々な置換基の導入が容易であり、分子設計の幅が大きい合成中間体として有用である。更に、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での各種工程に問題なく使用でき、低分子量かつ親水性基を有しているため体内への蓄積性は低く、燃焼廃棄時の燃焼性も高い。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。
IPC (6件)：
C07C 309/08 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C07C 381/00
FI (6件)：
C07C309/08 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12 ,  C07C381/00
Fターム (23件)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB80
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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