特許
J-GLOBAL ID：200903050185349589
マイクロ波導入器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-043195
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220639
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】プラズマ密度の影響を抑えかつ導入器の長さを短くしてもマイクロ波吸収率(パワー吸収率)が低下しないマイクロ波導入器、これを備えたプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマを生成する空間を有するチャンバ300に取り付けられるマイクロ波導入器であって、チャンバ300の壁面から前記プラズマを生成する空間に向けて突出する導波体100を備え、導波体100は、導電体からなり一方向に延在する内導体100bと、誘電体からなり内導体100bを被覆する外導体100aと、を有し、外導体100aの表面には外導体100aの実効的な誘電率に影響を及ぼす凹凸部120が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマを生成する空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、
前記チャンバの壁面から前記プラズマを生成する空間に向けて突出する導波体を備え、
前記導波体は、導電体からなり一方向に延在する内導体と、誘電体からなり前記内導体を被覆する外導体と、を有し、
前記外導体の表面には前記外導体の実効的な誘電率に影響を及ぼす凹凸部が形成されていることを特徴とするマイクロ波導入器。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, H01L 21/306
, H01L 21/205
, C23C 16/511
H05H1/46 B
, H01L21/302 101D
, H01L21/205
, C23C16/511
4K030FA01
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BD01
, 5F004BD04
, 5F045AA09
, 5F045BB02
, 5F045BB09
, 5F045DP02
, 5F045DQ10
, 5F045EH04
出願人引用 (19件)
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プラズマ発生装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-262047
出願人：三菱電機株式会社
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プラズマ発生装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-017226
出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-335529
出願人：株式会社東芝, 財団法人名古屋産業科学研究所
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審査官引用 (17件)
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