半導体素子製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿形明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357595
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148816
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】従来はあまり品質管理上問題とされなかったディフェクトの発生を抑制し、電気的信頼性の高い半導体素子を高歩留まりで製造する方法を提供する。【解決手段】 (A)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いてリソグラフィー法により半導体素子を製造するに当り、上記化学増幅型ポジ型レジスト組成物の露光前の23°Cにおけるアルカリ溶解速度が0.09〜1.0nm/秒になるように調整し、ディフェクトを抑制する。

請求項（抜粋）：

(A)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いてリソグラフィー法により半導体素子を製造するに当り、上記化学増幅型ポジ型レジスト組成物の露光前の23°Cにおけるアルカリ溶解速度が0.09〜1.0nm/秒になるように調整し、ディフェクトを抑制することを特徴とする半導体素子製造方法。

IPC (3件)：

G03F 7/26 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/26 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (22件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025BJ04 , 2H025BJ05 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA02 , 2H096EA04 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA03 , 2H096LA17

引用特許：

審査官引用 (15件)

感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-193367 出願人：ジェイエスアール株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-268112 出願人：日本合成ゴム株式会社
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-198979 出願人：東京応化工業株式会社

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