特許
J-GLOBAL ID：200903054327843891

フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法

発明者：
ヒョクジン イ

ヒョクジン イ について

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ビョンムク キム

ビョンムク キム について

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ソンヨン ソング

ソンヨン ソング について

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ホォンピョ ホング

ホォンピョ ホング について


出願人/特許権者：
ドングウー ファイン-ケム カンパニー、 リミテッド

ドングウー ファイン-ケム カンパニー、 リミテッド について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-188301
公開番号（公開出願番号）：特開2005-043874
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】半導体素子及び液晶表示素子等の製造工程において、ウェットエッチング又はドライエッチング工程の中で発生する変質又は硬化されたフォトレジストを、低温、短時間内に容易に剥離することができ、露出される下部の金属膜質及び酸化膜質に損傷を起こさない、有機溶剤を用いる必要がなく水のみでリンスできる剥離液組成物を提供する。【解決手段】脱イオン水、有機アミン化合物、グリコールエーテル化合物、水溶性有機溶剤、及び、腐食防止剤からなるフォトレジスト剥離液組成物。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
組成物の総量に対し、5〜50重量%の有機アミン化合物、10〜50重量%のグリコールエーテル化合物、0〜30重量%の水溶性有機溶媒、0.1〜10重量%の腐食防止剤及び残量の脱イオン水を含むフォトレジスト剥離液組成物。
IPC (3件)：
G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304
FI (3件)：
G03F7/42 ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/30 572B
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03
引用特許：
出願人引用 (22件)
  • 米国特許第4、617、251号公報
  • 米国特許第5、478、443号公報
  • 米国特許第5、320、709号公報
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審査官引用 (13件)
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