特許
J-GLOBAL ID：200903065162485601

半導体装置の製造方法

発明者：
大内 雅彦

大内 雅彦 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120610
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303063
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】 溝の内部に窒化金属膜を介して埋め込まれたフォトレジストのプラズマアッシングに際して、窒化金属膜の酸化を防止する。【解決手段】 半導体基板の主面上にSiO2膜28を成膜する工程と、SiO2膜28にシリンダ孔29を形成する工程と、シリンダ孔29の底面及び側面を含み、全面にTiN膜(30)を成膜する工程と、シリンダ孔29の内部のTiN膜(30)上にフォトレジストを埋め込む工程と、SiO2膜28上に露出するTiN膜(30)を除去する工程と、シリンダ孔29の内部に埋め込まれたフォトレジストをプラズマアッシングによって除去する工程とを有し、アッシング工程では、酸素を含まない非酸素系ガスのプラズマを用いる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に絶縁膜を成膜する工程と、該絶縁膜に溝を形成する工程と、該溝の底面及び側面を含み、全面に窒化金属膜を成膜する工程と、前記溝の内部の前記窒化金属膜上にフォトレジストを埋め込む工程と、前記絶縁膜上に露出する前記窒化金属膜を除去する工程と、前記溝の内部に埋め込まれたフォトレジストをプラズマアッシングによって除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、 前記プラズマアッシング工程では、酸素を含まない非酸素系ガスのプラズマを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/320
FI (2件)：
H01L27/10 621C ,  H01L21/88 B
Fターム (54件)：
5F033HH05 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX20 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体集積回路装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-299854   出願人：株式会社日立製作所, 日本電気株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-036459   出願人：エルピーダメモリ株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ, 株式会社日立製作所
審査官引用 (18件)
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