特許
J-GLOBAL ID：200903069174488407
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-186181
公開番号（公開出願番号）：特開2008-017620
出願日： 2006年07月06日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】1パッケージ化に好適で、高性能で多様な電源装置に適用可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第1、第2及び第3半導体チップが1つのパッケージに搭載される。上記第1と第2半導体チップは、第1、第2パワー出力MOSFETである。上記第3半導体チップは、上記各パワーMOSFETを駆動する駆動回路と、所望電圧の出力電圧になるようなスイッチング制御信号を形成して上記駆動回路に伝える制御回路と、上記駆動回路の動作に必要とされる第1内部電圧を形成する第1電源回路と、上記制御回路の動作に必要とされる第2内部電圧を形成する第2電源回路とを含む。上記第1パワーMOSFETは、第1電源端子の入力電圧から上記インダクタに流す電流を形成し、上記第1、第2電源回路は、上記入力電圧を降圧してそれぞれ上記第1、第2内部電圧を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1半導体チップと、
第2半導体チップと、
第3半導体チップとが1つのパッケージに搭載され、
上記第1半導体チップは、第1パワーMOSFETであり、
上記第2半導体チップは、第2パワーMOSFETであり、
上記第3半導体チップは、
上記第1、第2パワーMOSFETを駆動する駆動回路と、
上記第1、第2パワーMOSFETで形成された出力電流が流れるようにされたインダクタとキャパシタで形成された直流電圧が、所望電圧になるようなスイッチング制御信号を上記駆動回路に伝える制御回路と、
上記駆動回路の動作に必要とされる第1内部電圧を形成する第1電源回路と、
上記制御回路の動作に必要とされる第2内部電圧を形成する第2電源回路とを含み、
上記第1パワーMOSFETは、第1電源端子の入力電圧から上記インダクタに流す電流を形成し、
上記第1、第2電源回路は、上記入力電圧を降圧してそれぞれ上記第1、第2内部電圧を形成する半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5H730AA15
, 5H730AS01
, 5H730AS05
, 5H730BB13
, 5H730BB57
, 5H730DD04
, 5H730EE13
, 5H730FD01
, 5H730FD31
, 5H730FF01
, 5H730FG05
, 5H730XX04
, 5H730XX15
, 5H730XX26
, 5H730XX35
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (13件)
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