特許
J-GLOBAL ID：200903072998794125

GaInNからなる薄い半導体層およびその製造方法ならびにその半導体層を備えたLEDさらにはこのLEDを備えた照明デバイス

発明者：
ジャン・クロード・マシエ

ジャン・クロード・マシエ について

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ニコラ・ピエール・グランジャン

ニコラ・ピエール・グランジャン について

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バンジャマン・ジェラール・ピエール・ダミラーノ

バンジャマン・ジェラール・ピエール・ダミラーノ について


出願人/特許権者：
サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク

サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-574912
公開番号（公開出願番号）：特表2003-530703
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2003年10月14日
要約：
【要約】本発明は、可能であれば少量のヒ素またはリンまたはアンチモンを含有しているような、GaInNからなる単一の半導性の薄層に関するものである。本発明による薄層は、それぞれ所定の色を有した少なくとも2つの可視光を放出する。そのような色どうしは、混合することができる。特に、混合によって白色光を得ることができる。本発明は、また、このような薄層の製造方法に関するものである。さらに、本発明は、発光ダイオードに関するものであり、特に、白色光を放出する発光ダイオードに関するものであり、発光ダイオードの活性領域内に上記薄層を備えている。また、本発明は、そのような発光ダイオードを備えた照明デバイスに関するものである。
請求項（抜粋）：
可能であれば少量のヒ素またはリンまたはアンチモンを含有しているような、GaInNからなる単一の半導性の薄層であって、 それぞれ所定の色を有した少なくとも2つの可視光を放出することを特徴とする薄層。
FI (2件)：
H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CB28 ,  5F041CB29 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (14件)
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