特許
J-GLOBAL ID：200903075455854321

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
中山 敏紀

中山 敏紀 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061469
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258011
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 三次元実装を実現できる半導体装置を簡単に製造することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)半導体チップ20を、ワイヤ26によって基板10の導電部14に電気的に接続させ、(b)バンプ30を、ワイヤ26の頂点よりも高くなるように半導体チップ20の電極22上に設け、(c)型50、52によって基板10及びバンプ30を挟むことで封止材40の空間54を形成し、(d)空間54に封止材40を充填することで、半導体チップ20を封止するとともに、バンプ30の型50、52に接触する部分を封止材40から露出させることを含む。
請求項（抜粋）：
(a)半導体チップを、ワイヤによって基板の導電部に電気的に接続させ、(b)バンプを、前記ワイヤの頂点よりも高くなるように前記半導体チップの電極上に設け、(c)型によって前記基板及び前記バンプを挟むことで封止材の空間を形成し、(d)前記空間に前記封止材を充填することで、前記半導体チップを封止するとともに、前記バンプの前記型に接触する部分を前記封止材から露出させることを含む半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L 21/56 T ,  H01L 25/14 Z
Fターム (4件)：
5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (19件)
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