被膜、被膜形成用塗布液、被膜の製造方法及びその被膜を有する電子部品

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂高哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314988
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124207
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】温度範囲が350〜500°C、かつ加熱時間が10分以内と短時間で完全硬化可能で熱処理工程の短縮可能な低比誘電率の被膜を提供する。【解決手段】温度範囲が350〜500°C、加熱時間が10分以内の条件下で被膜を加熱処理した場合に、その被膜の比誘電率が3.0以下になる(a)シロキサン骨格を有する縮重合反応物、(b)250〜500°Cの温度範囲で全て分解もしくは揮発する有機ポリマー及び(c)有機ポリマー分解促進剤を含有する被膜。

請求項（抜粋）：

温度範囲が350〜500°C、加熱時間が10分以内の条件下で被膜を加熱処理した場合に、その被膜の比誘電率が3.0以下になる被膜。

IPC (8件)：

H01L 21/312 , B05D 3/02 , B05D 5/12 , B05D 7/00 , C09D133/08 , C09D171/02 , C09D183/04 , H01L 21/316

FI (8件)：

H01L 21/312 C , B05D 3/02 Z , B05D 5/12 D , B05D 7/00 H , C09D133/08 , C09D171/02 , C09D183/04 , H01L 21/316 G

Fターム (31件)：

4D075BB21Z , 4D075BB56Z , 4D075BB92Z , 4D075BB93Z , 4D075BB95Z , 4D075CA23 , 4D075DC21 , 4D075EA05 , 4D075EB22 , 4D075EB43 , 4J038CG082 , 4J038CG142 , 4J038DD002 , 4J038DE002 , 4J038DF022 , 4J038DL031 , 4J038HA156 , 4J038HA336 , 4J038JA39 , 4J038KA04 , 4J038PB09 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (17件)

被覆形成用塗布液及び被覆膜及びそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-351045 出願人：富士通株式会社
非常に低い誘電率プラズマ強化CVD膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-010570 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-321448 出願人：株式会社東芝

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