特許
J-GLOBAL ID：200903074073112841

薄膜及びその製造方法

発明者：
須佐 憲三

須佐 憲三 について

, 
頼 華子

頼 華子 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217190
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 周期構造を有する低誘電率の薄膜で、残留不純物濃度を半導体用途に適合したレベルに低減した薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 周期が0.5nm以上、50nm以下である周期構造を含む絶縁膜であって塩素不純物及びナトリウム不純物が夫々10ppm以下である薄膜。絶縁膜成分を含む前駆体を製造する工程、前駆体を塗布する工程、及び塗布膜を硬化し薄膜とする工程を含む上記薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
周期が0.5nm以上、50nm以下である周期構造を含む絶縁膜であってハロゲン不純物及びナトリウム不純物が夫々10ppm以下であることを特徴とする薄膜。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/316 G ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/90 K
Fターム (27件)：
4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072MM01 ,  4G072RR12 ,  4G072TT19 ,  4G072TT20 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G072UU15 ,  4G072UU17 ,  5F033HH08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033VV00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F058AF04 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM