特許
J-GLOBAL ID：200903097075928466

半導体ウエハダイシング-ダイボンド用粘接着テープ

発明者：
喜多 賢二

喜多 賢二 について

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盛島 泰正

盛島 泰正 について

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山川 貴紀

山川 貴紀 について

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石渡 伸一

石渡 伸一 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 飯田 敏三 ,  佐々木 渉 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-297944
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109808
出願日： 2005年10月12日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】 ダイシング-ダイボンド用としての本来の機能を備えると共に、ダイシングフレームへの粘接着剤層の転着が起こりにくい、半導体装置の製造コストの低減に寄与する半導体ウエハダイシング-ダイボンド用粘接着テープを提供する。【解決手段】 半導体ウエハ11を固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレーム22に接着する半導体ウエハダイシング-ダイボンド用粘接着テープであって、基材フィルム1とこの上に設けられた粘接着剤層2とを具備し、上記の基材フィルムは、伸び10%において応力が10〜40MPa、破断伸び率が300%以上であり、かつ粘接着剤層が設けられる面に基材フィルムと粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理が施されていると共に、上記の粘接着剤層はガラス転移点が-15°C以上であることを特徴とする半導体ウエハダイシング-ダイボンド用粘接着テープ。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレームに接着する半導体ウエハダイシング-ダイボンド用粘接着テープであって、基材フィルムとこの上に設けられた粘接着剤層とを具備し、上記の基材フィルムは、伸び10%において応力が10〜40MPa、破断伸び率が300%以上であり、かつ粘接着剤層が設けられる面に基材フィルムと粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理が施されていると共に、上記の粘接着剤層はガラス転移点が-15°C以上であることを特徴とする半導体ウエハダイシング-ダイボンド用粘接着テープ。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  C09J 7/02 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/78 M ,  C09J7/02 Z ,  H01L21/68 N
Fターム (6件)：
4J004AB01 ,  4J004CD01 ,  4J004FA05 ,  5F031CA02 ,  5F031HA78 ,  5F031MA34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (13件)
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