面発光型レーザ及び半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160680
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354885
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】活性層や導波路層の端面において反射が生ずることを抑制して発振特性を顕著に改善することができる面発光型レーザ及び半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】活性層あるいは導波路方向に対して垂直な側面を形成しない各種の構成を提案する。本発明のVCSELにおいては、活性層の側面部分には、垂直面が形成されないような形状に加工する。また、本発明のGCSELの場合は、導波路の端面に垂直面が形成されないような結晶面と導波構造との配置とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の第1の主面上に設けられた活性層とを備え、前記活性層から放出された光を前記基板の前記主面に対して略垂直な方向に出力する面発光型レーザであって、前記活性層のすべての側面は、前記半導体基板の前記主面に対して垂直でないものとして構成されていることを特徴とする面発光型レーザ。

引用特許：

審査官引用 (19件)

光機能素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-253108 出願人：工業技術院長
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-129182 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-168545 出願人：日本電気株式会社

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