特許
J-GLOBAL ID：201003079746450208

圧電体素子の製造方法

発明者：
村井 正己

村井 正己 について

, 
李 欣山

李 欣山 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-107514
公開番号（公開出願番号）：特開2010-226121
出願日： 2010年05月07日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】圧電体薄膜に適した配向度を安定して再現性良く得ることにより、安定した高い圧電特性を備えた圧電体素子及びこれを用いたインクジェト式記録ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】下部電極42上にTi膜を形成した後、圧電体薄膜43を構成する圧電体層を複数回成膜し、この圧電体薄膜43上に上部電極44を形成して圧電体素子40を製造する。圧電体層を複数回成膜するにあたり、初回の成膜における焼成温度を、他の回の各成膜における焼成温度より高い温度とする。また、初回の成膜における焼成時間を、他の回の各成膜における焼成時間より長い時間とする。これにより100面配向度を向上させ、下部電極の酸化やPbの拡散も防ぐことができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
振動板、下部電極、圧電体薄膜及び上部電極を順次積層してなる圧電体素子であって、 前記圧電体薄膜は、100面優先配向したPZTであり、前記下部電極側と前記上部電極側とで(100)面配向度が異なる、圧電体素子。
IPC (8件)：
H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H03H 9/17
FI (9件)：
H01L41/08 C ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 Z ,  H01L27/10 444C ,  H03H9/17 F
Fターム (12件)：
5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5J108BB04 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108KK01
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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