特許
J-GLOBAL ID：201103076609188170
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140891
公開番号（公開出願番号）：特開2002-332353
特許番号：特許第4088746号
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位のみからなることを特徴とする重量平均分子量1,000〜100,000の高分子化合物。
(式中、R1は環状の2価の炭化水素基であり、該環状の2価の炭化水素基を形成するための環状炭化水素は下記式
から選ばれる。(CN)c-R2-で表される基は、下記式
で示される基から選択される。R3は酸不安定基である。a、bは正数である。)
IPC (5件)：
C08G 77/26 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/075 ( 200 6.01)
, G03F 7/40 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
C08G 77/26
, G03F 7/039 601
, G03F 7/075 511
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 R
