GaInNからなる薄い半導体層およびその製造方法ならびにその半導体層を備えたLEDさらにはこのLEDを備えた照明デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-574912
特許番号：特許第5296280号
出願日： 2001年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaInNからなる半導性の薄層であって、あるいは、5%未満という比率でもってヒ素またはリンまたはアンチモンを含有しているGaInNからなる半導性の薄層であって、前記薄層が、バリア層を介在させることなく互いに積層された少なくとも2つのGaInN製の成膜体を備え、各成膜体が、所定色の可視光を放出し、この結果、前記薄層から、それぞれ所定の色を有した少なくとも2つの可視光が放出されることを特徴とする薄層。

IPC (3件)：