接続構造及びその製造方法、半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-066715
公開番号（公開出願番号）：特開2014-212308
出願日： 2014年03月27日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
要約：

【課題】ナノカーボン材料を用いるも、ナノカーボン材料と電極との十分に低いコンタクト抵抗を実現する信頼性の高い接続構造及びその製造方法を得る。【解決手段】接続構造は、Si基板1と、Si基板1の上方に形成されたナノカーボン材料4と、ナノカーボン材料4と電気的に接続された電極5とを有しており、Si基板1とナノカーボン材料4との間に、ドーピング機能を有する分子材料3が挿入されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上方に形成された第1のナノカーボン材料と、前記第1のナノカーボン材料と電気的に接続された電極とを含み、前記基板と前記第1のナノカーボン材料との間に、ドーピング機能を有する分子材料が挿入されていることを特徴とする接続構造。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/44 S , H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 616T

Fターム (49件)：

4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF06 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110QQ16 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-233289 出願人：日本電気株式会社
半導体装置および半導体センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-093076 出願人：富士通株式会社
無電解めっきによる有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-546946 出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド

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