シリコン基板の表面を処理するための水性アルカリ性組成物および方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江藤聡明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-524461
公開番号（公開出願番号）：特表2014-529641
出願日： 2012年07月12日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
要約：

シリコン基板の表面を処理するための水性アルカリ性組成物であって、 (A)水酸化第四級アンモニウム;ならびに (B)一般式(I)〜(V)の水溶性酸およびこれらの水溶性塩: (R1-SO3-)nXn+(I)、 R-PO32-(Xn+)3-n(II); (RO-SO3-)nXn+(III)、 RO-PO32-(Xn+)3-n(IV)、および [(RO)2PO2-]nXn+(V);[式中、n=1または2であり、Xは、水素、アンモニウム、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属であり、可変部分R1は、オレフィン性不飽和の脂肪族または脂環式部分であり、Rは、R1またはアルキルアリール部分である]からなる群から選択される成分、ならびに (C)緩衝系(水以外の少なくとも1種の成分は、揮発性である)を含む組成物;シリコン基板を処理するための組成物の使用、シリコン基板の表面を処理する方法、ならびに電磁放射線への曝露によって電気を発生させるデバイスを製造する方法。

請求項（抜粋）：

(A)少なくとも1種の水酸化第四級アンモニウム; (B)(b1)一般式Iの水溶性スルホン酸およびこれらの水溶性塩: (R1-SO3-)nXn+(I)、 (b2)一般式IIの水溶性ホスホン酸およびこれらの水溶性塩: R-PO32-(Xn+)3-n(II); (b3)一般式IIIの水溶性硫酸エステルおよびこれらの水溶性塩: (RO-SO3-)nXn+(III)、 (b4)一般式(IV)の水溶性リン酸エステルおよびこれらの水溶性塩: RO-PO32-(Xn+)3-n(IV)、ならびに (b5)一般式(V)の水溶性リン酸エステルおよびこれらの水溶性塩: [(RO)2PO2-]nXn+(V); [式中、添字n=1または2であり、可変部分Xは、水素、アンモニウム、アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択され、可変部分R1は、2〜5個の炭素原子および少なくとも1個のオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、ならびに4〜6個の炭素原子および少なくとも1個のオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式部分からなる群から選択され、可変部分Rは、2〜5個の炭素原子および少なくとも1個のオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、4〜6個の炭素原子および少なくとも1個のオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式部分、ならびにアルキルアリール部分からなる群から選択され、アリール部分は、ベンゼンおよびナフタレンから選択され、アルキル部分は、メチレン、エタン-ジイルおよびプロパン-ジイルから選択され、一般式IIにおけるリン原子は、直接結合しており、一般式IIIにおける硫黄原子、ならびに一般式IVおよびVにおけるリン原子は、酸素原子を介して脂肪族炭素原子にそれぞれ結合している] からなる群から選択される少なくとも1種の成分;ならびに (C)緩衝系(水以外の少なくとも1種の成分は、揮発性である) を含む水性アルカリ性組成物。

IPC (12件)：

C11D 7/32 , H01L 31/18 , H01L 21/304 , C11D 7/34 , C11D 7/36 , C11D 17/08 , C11D 7/12 , C11D 7/26 , C11D 7/08 , C11D 7/06 , C11D 7/38 , C11D 7/18

FI (12件)：

C11D7/32 , H01L31/04 460 , H01L21/304 647A , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D17/08 , C11D7/12 , C11D7/26 , C11D7/08 , C11D7/06 , C11D7/38 , C11D7/18

Fターム (39件)：

4H003DA15 , 4H003DB03 , 4H003EA03 , 4H003EA16 , 4H003EA23 , 4H003EB07 , 4H003EB14 , 4H003EB19 , 4H003EB22 , 4H003EB23 , 4H003FA04 , 4H003FA07 , 4H003FA28 , 4H003FA29 , 5F151AA01 , 5F151BA11 , 5F151CB30 , 5F151DA03 , 5F151DA20 , 5F151GA04 , 5F151GA11 , 5F157AA62 , 5F157AA70 , 5F157AA73 , 5F157AA82 , 5F157AC01 , 5F157BB01 , 5F157BB66 , 5F157BC07 , 5F157BF39 , 5F157BF43 , 5F157BF46 , 5F157BF56 , 5F157BF62 , 5F157BF63 , 5F157BF96 , 5F157CB01 , 5F157CB11 , 5F157DB03

引用特許：

審査官引用 (12件)

化学的機械的平坦化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-380288 出願人：富士フイルム株式会社
研磨剤および研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-211942 出願人：旭硝子株式会社, セイミケミカル株式会社
電子材料用洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-315396 出願人：三洋化成工業株式会社

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