特許
J-GLOBAL ID：201503009297027370

薄膜形成装置

発明者：
大岸 厚文

大岸 厚文 について

, 
猿渡 哲也

猿渡 哲也 について

, 
三科 健

三科 健 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-104987
公開番号（公開出願番号）：特開2015-220418
出願日： 2014年05月21日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：
【課題】本発明は、基板に与えるダメージが小さく、且つ高いパッシベーション効果が得られる前処理を行える薄膜形成装置を提供する。【解決手段】チャンバーと、チャンバーの内部に配置され、サンプルホルダに搭載された基板と対向する高周波電極と、サンプルホルダと高周波電極との間に高周波パルス電力を供給し、前処理工程において前処理ガスを含むプラズマを励起し、成膜処理工程において原料ガスを含むプラズマを励起する高周波電源と、前処理工程において第1のデューティ比で高周波パルス電力を高周波電源から出力させ、成膜処理工程において第1のデューティ比よりもオン時間の比が長い第2のデューティ比で高周波パルス電力を高周波電源から出力させるように、高周波電源を制御する制御装置とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理対象の基板が搭載されたサンプルホルダが格納されるチャンバーと、 前記チャンバーの内部に配置され、前記サンプルホルダに搭載された前記基板と対向する高周波電極と、 前処理工程に使用される前処理ガス、又は前記基板上に形成する薄膜の原料ガスを含む反応ガスのいずれかを、前記チャンバーの内部に供給するガス供給機構と、 前記サンプルホルダと前記高周波電極との間に高周波パルス電力を供給し、前記前処理工程において前記前処理ガスを含むプラズマを励起し、成膜処理工程において前記原料ガスを含むプラズマを励起する高周波電源と、 前記前処理工程において第1のデューティ比で前記高周波パルス電力を前記高周波電源から出力させ、前記成膜処理工程において前記第1のデューティ比よりもオン時間の比が長い第2のデューティ比で前記高周波パルス電力を前記高周波電源から出力させるように、前記高周波電源を制御する制御装置と を備えることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/505 ,  H05H1/46 M ,  H05H1/46 A
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030JA16 ,  4K030JA20 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AF03 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA68 ,  5F045DP20 ,  5F045EB13 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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