特許
J-GLOBAL ID：201503018202464423
窒化物半導体積層体及びそれを用いた発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-215904
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079844
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：
【課題】バッファ層が厚くてもクラックが発生しにくく、且つ順駆動電圧の低い、深紫外線を発光する発光素子が実現可能な半導体積層体を提供する。【解決手段】半導体積層体を、c面を上面に有するサファイアからなる下地基板上面に接して厚さが2μm以上4μm以下である窒化アルミニウムからなるバッファ層が形成されたテンプレート基板、窒化アルミニウムガリウム層及び窒化アルミニウム層を交互に積層してなる超格子層、アンドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、そのアルミニウム比が上方向に順次減少する第一の組成傾斜層、n型不純物ドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、そのアルミニウム比が上方向に順次減少する第二の組成傾斜層、III族窒化物からなり、深紫外光を発する発光層を有する活性層及びp側層を順に積層した窒化物半導体積層体とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
c面を上面に有するサファイアからなる下地基板上面に接して厚さ2μm以上4μm以下の窒化アルミニウムからなるバッファ層が形成されたテンプレート基板と、
前記テンプレート基板上面に接してに形成され、窒化アルミニウムガリウム層及び窒化アルミニウム層を交互に積層してなる超格子層と、
前記超格子層の上面に接して形成され、アンドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、前記アンドープの窒化アルミニウムガリウムのアルミニウム比mAl1が前記超格子層側から上方向に順次減少する第一の組成傾斜層と、
前記第一の組成傾斜層の上面に接して形成され、n型不純物ドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、前記n型不純物ドープの窒化アルミニウムガリウムのアルミニウム比mAl2が前記第一の組成傾斜層側から上方向に順次減少する第二の組成傾斜層と、
前記第二の組成傾斜層の上面に接して形成され、III族窒化物半導体からなり、深紫外光を発する発光層を有する活性層と、
前記活性層の上面に接して形成されるp側層と、
を含む、窒化物半導体積層体。
IPC (3件)：
H01L 33/14
, H01L 33/12
, H01L 33/32
H01L33/00 150
, H01L33/00 140
, H01L33/00 186
5F141AA08
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA49
, 5F141CA57
, 5F141CA64
, 5F141CA65
, 5F141CA66
, 5F141CA87
, 5F141CB11
, 5F241AA08
, 5F241CA04
, 5F241CA05
, 5F241CA40
, 5F241CA49
, 5F241CA57
, 5F241CA64
, 5F241CA65
, 5F241CA66
, 5F241CA87
, 5F241CB11
出願人引用 (15件)
全件表示
審査官引用 (15件)
全件表示
前のページに戻る
