特許
J-GLOBAL ID:201703001213558212

基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 井上 俊夫 ,  三井田 友昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-097646
公開番号(公開出願番号):特開2017-034230
出願日: 2016年05月16日
公開日(公表日): 2017年02月09日
要約:
【課題】ウエハの加熱処理を行うにあたって、ウエハの処理により生じる昇華物を分解して、昇華物が排気路へ付着することを抑えること。また光源部からの光によりウエハWに対して、加熱などの処理を行うにあたって、光透過窓に付着した昇華物を除去すること。【解決手段】処理容器2の内面に熱触媒層5を形成し、この熱触媒層5を加熱している。このためウエハW上の塗布膜から昇華し、処理容器2内に取り込まれた昇華物が熱触媒層5の近傍に到達した時に、熱触媒層5の熱活性化により分解除去される。また光透過窓42に付着した昇華物を除去するにあたっては、表面に熱触媒層5を形成したクリーニング用基板6を処理容器2内に搬入し、熱触媒層5を光透過窓42に近づけた後、クリーニング用基板6を加熱することにより、光透過窓42の表面に付着した昇華物9を除去する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
内部に被処理基板を載置する載置部が設けられた処理容器と、 前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気路と、 前記処理容器の内面及び前記排気路の少なくとも一方に設けられ、加熱されることにより熱活性化されて、被処理基板の処理により当該被処理基板から発生する生成物を分解する熱触媒物質と、 前記熱触媒物質を加熱するための熱触媒用の加熱部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件):
H01L 21/027
FI (1件):
H01L21/30 567
Fターム (4件):
5F146KA01 ,  5F146KA02 ,  5F146KA04 ,  5F146KA10
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (14件)
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