特許
J-GLOBAL ID：201703009253304613
薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (17件)：
特許業務法人スズエ国際特許事務所
, 蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 中村 誠
, 野河 信久
, 白根 俊郎
, 峰 隆司
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 赤穂 隆雄
, 井上 正
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-107376
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229709
特許番号：特許第6106024号
出願日： 2013年05月21日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上の一部に酸化物半導体層を形成する工程と、
シラン系の原料ガスを用いたCVD法で、前記酸化物半導体層上及び前記基板上にシリコン酸化膜からなる第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
TEOSを原料ガスに用いたCVD法で、前記第1のゲート絶縁膜上にシリコン酸化膜からなる第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 V
