特許
J-GLOBAL ID：201803000685936491
窒化物半導体積層体及びそれを用いた発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-215904
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079844
特許番号：特許第6252092号
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 c面を上面に有するサファイアからなる下地基板上面に接して厚さ2μm以上4μm以下の窒化アルミニウムからなるバッファ層が形成されたテンプレート基板と、
前記テンプレート基板上面に接して形成され、窒化アルミニウムガリウム層及び窒化アルミニウム層を交互に積層してなる超格子層と、
前記超格子層の上面に接して形成され、アンドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、前記アンドープの窒化アルミニウムガリウムのアルミニウム比mAl1が前記超格子層側から上方向に順次減少する第一の組成傾斜層と、
前記第一の組成傾斜層の上面に接して形成され、n型不純物ドープの窒化アルミニウムガリウムからなり、前記n型不純物ドープの窒化アルミニウムガリウムのアルミニウム比mAl2が前記第一の組成傾斜層側から上方向に順次減少する第二の組成傾斜層と、
前記第二の組成傾斜層の上面に接して形成され、III族窒化物半導体からなり、深紫外光を発する発光層を有する活性層と、
前記活性層の上面に接して形成されるp側層と、
を含む、窒化物半導体積層体。
IPC (3件)：
H01L 33/12 ( 201 0.01)
, H01L 33/14 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
H01L 33/12
, H01L 33/14
, H01L 33/32
