特許
J-GLOBAL ID：201803017817365561
GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
阿部 達彦
, 実広 信哉
, 崔 允辰
, 木内 敬二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-095592
公開番号（公開出願番号）：特開2012-224539
特許番号：特許第6324654号
出願日： 2012年04月19日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に部分的に配された少なくとも2つの支持部材と、
前記少なくとも2つの支持部材上にかけて配されたAlNからなる第1バッファ層と、
前記第1バッファ層上に配された電極層と、
前記電極層上に配された第2バッファ層と、
前記第2バッファ層上に配されたGaN薄膜層と、を含み、
前記少なくとも2つの支持部材は、前記基板と前記第1バッファ層の下面との間にて少なくとも一つの空気キャビティを形成し、
前記電極層は、電流を印加することにより、前記GaN薄膜層の成膜時に成膜温度を維持するように熱を発生させるマイクロヒータの役割を果たすように構成されるGaN薄膜構造物。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 41/08 ( 200 6.01)
, H01L 41/18 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, H01L 33/32
, H01L 41/08 Z
, H01L 41/18 101 A
