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J-GLOBAL ID：200903023710742451

ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
金子 達志

About 金子 達志


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005107092
Publication number (International publication number)：2005320516
Application date： Apr. 04, 2005
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：
【解決手段】 式(1a)のエキソ体のエステル基を有する単位Aと、式(1b)のヘキサフルオロイソプロパノール基を2個有するエステル基を有する単位Bとを構成単位とする高分子化合物を含有するポジ型レジスト材料。 【化1】(R1、R2はH、CH3又はCH2CO2R14、R3はアルキル基、アリール基、R4〜R9及びR12、R13はH又は1価炭化水素基、R10、R11はH、あるいは、環を形成するか二重結合を形成してもよい。R14はH又はアルキル基。本式により、鏡像体も表す。) 【化2】(R15はH又はCH3、R16、R17はH又は酸不安定基。)【効果】 本発明のポジ型レジスト材料は、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1a)で示されるエキソ体のエステル基を有する単位Aと、下記一般式(1b)で示されるヘキサフルオロイソプロパノール基を2個有するエステル基を有する単位Bとを構成単位として 0.1≦A/(A+B)≦0.8 0.01≦B/(A+B)≦0.9 のモル割合で有する高分子化合物を含有するポジ型レジスト材料。
IPC (5)：
C08F220/16 ,  C08F220/26 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (5)：
C08F220/16 ,  C08F220/26 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (50)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AE09R ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32R ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09R ,  4J100AL16P ,  4J100AL41P ,  4J100AL46P ,  4J100AQ01R ,  4J100AR09R ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05P ,  4J100BA11R ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09R ,  4J100BC26P ,  4J100BC27P ,  4J100BC43P ,  4J100BC49P ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA39 ,  4J100HE20 ,  4J100HE22 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (6)
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