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J-GLOBAL ID:200903048010425873
半導体集積回路装置およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002181974
Publication number (International publication number):2004031439
Application date: Jun. 21, 2002
Publication date: Jan. 29, 2004
Summary:
【課題】複数層の埋め込み配線を有する半導体集積回路装置において、埋め込み配線と底部にて接続するプラグとその埋め込み配線との界面でのストレスマイグレーションによる導通不良を防ぐ。【解決手段】たとえば、Cu配線33Wの幅が約0.9μm以上かつ約1.44μm未満であり、Cu配線43の幅およびプラグ43Pの径が約0.18μmである場合において、Cu配線33W上にてCu配線33WとCu配線43とを電気的に接続するプラグ43Pを2個以上配置する。【選択図】 図18
Claim (excerpt):
第1絶縁膜に形成された第1配線溝の内部に第1埋め込み配線が形成され、
前記第1絶縁膜の上層に第2絶縁膜が形成され、
前記第2絶縁膜の上層に第3絶縁膜が形成され、
前記第3絶縁膜に形成された第2配線溝の内部に第2埋め込み配線が形成され、
前記第2絶縁膜に形成された第1孔部の内部に前記第1埋め込み配線と前記第2埋め込み配線とを電気的に接続する第1プラグが形成された半導体集積回路装置であって、
前記第1プラグと前記第1埋め込み配線とが接続する第1位置は、前記第1位置から前記第1埋め込み配線の幅方向における両端部までの距離が等しくならないように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/90 B
, H01L21/82 C
F-Term (96):
5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH27
, 5F033HH32
, 5F033HH33
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, 5F033JJ01
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, 5F033JJ27
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033JJ34
, 5F033KK04
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, 5F033KK32
, 5F033KK33
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, 5F033MM07
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN33
, 5F033NN34
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, 5F033PP21
, 5F033PP22
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, 5F033PP33
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, 5F033SS02
, 5F033SS03
, 5F033SS11
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, 5F033UU04
, 5F033VV12
, 5F033XX00
, 5F033XX06
, 5F033XX14
, 5F033XX24
, 5F033XX28
, 5F033XX37
, 5F064BB02
, 5F064BB13
, 5F064CC12
, 5F064EE09
, 5F064EE12
, 5F064EE17
, 5F064EE22
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE32
, 5F064EE41
, 5F064EE52
, 5F064HH06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (15)
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ダマシン配線構造およびダマシン配線を有する半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-113286
Applicant:富士通株式会社
-
集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-020608
Applicant:ヤマハ株式会社
-
半導体装置、その製造方法および記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-364112
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
-
特開平3-145743
-
半導体集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-276233
Applicant:株式会社日立製作所
-
特開昭64-090544
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-178429
Applicant:株式会社東芝
-
半導体集積回路のレイアウト方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-138525
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-061686
Applicant:日本電気株式会社
-
多層配線構造を有する半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-312186
Applicant:富士通株式会社
-
半導体スタンダードセル及びその配置配線方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-192358
Applicant:ソニー株式会社
-
多層配線構造、その多層配線構造を具備した半導体装置、インダクタおよび半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-227530
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体集積回路装置における積層異幅電源幹線
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-243055
Applicant:松下電器産業株式会社
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幅広の軟質金属配線におけるディッシングの回避方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-214947
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-115837
Applicant:日本電気株式会社
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