深紫外線露出用の改良形乾式ホトリトグラフィプロセス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000051646
Publication number (International publication number)：2000347421
Application date： Feb. 28, 2000
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 0.18ミクロン未満のパターンサイズを有する、半導体集積回路の形成に有効な乾式オートリソグラフィ技術を提供する。【解決手段】少なくとも2つの炭素原子と、少なくとも1つの水素原子に結合したシリコン原子を有する有機シラン前駆物質を用いて、プラズマ重合法により基板上にレジスト膜を形成する。次いで酸化環境の中で、50mJ/cm2未満の放射線に選択的に露出した後、エッチングプロセスを使って露出部分、または非露出部分を除去、現像する。ホトレジスト層のコントラストは、現像プラズマの酸素含有量によって選択できる。

Claim (excerpt)：

基板上にパターン加工(patterned) レジスト層を形成するプロセスであって、a)少なくとも2つの炭素原子と少なくとも1つの水素原子に結合されたシリコン原子を有する有機シラン前駆物質を、基板を収容する処理チャンバに流し込むこと、b)基板上にプラズマ重合有機シランの層を形成するために、有機シラン前駆物質からプラズマを形成すること、c)層の露出部分と層の非露出部分とを形成するために層の選択部分を少なくとも部分的に酸化するように、酸化環境の中で、プラズマ重合有機シランの層の選択部分を50mJ/cm2 未満の放射量に露出すること、およびd)露出部分または非露出部分を選択的に除去するために、エッチングプロセスを使って層を現像することを含むプロセス。

IPC (4)：

G03F 7/36 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027 , H01L 21/31

FI (4)：

G03F 7/36 , G03F 7/075 511 , H01L 21/31 C , H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体装置のパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-124770 Applicant：沖電気工業株式会社
エネルギー感受性材料及びそれらの使用法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-101637 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-137512 Applicant：住友金属工業株式会社

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