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J-GLOBAL ID：200903012854529777
フォトマスクブランク及びフォトマスク
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (4)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004263161
Publication number (International publication number)：2006078807
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：
【課題】ArFエキシマレーザ用の高精度なフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】 透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板上に、他の膜を介して又は介さずに1層又は2層以上の遮光膜が形成され、前記遮光膜を構成する層の少なくとも1層が主成分としてケイ素と遷移金属とを含み、かつケイ素と遷移金属とのモル比がケイ素:金属=4〜15:1(原子比)であるフォトマスクブランク。【効果】 高い遮光性と化学的安定性が確保された遮光膜を有するものとなり、反射防止膜を更に積層した場合にあっても、レジストを比較的薄く形成でき、これによってレジスト膜のアスペクト比を大きくすることによる諸問題を回避でき、より高精度のフォトマスクパターン形成が可能となる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板上に、他の膜(A)を介して又は介さずに1層又は2層以上の遮光膜が形成され、前記遮光膜を構成する層の少なくとも1層(B)が主成分としてケイ素と遷移金属とを含み、かつケイ素と遷移金属とのモル比がケイ素:金属=4〜15:1(原子比)であることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BA06
, 2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB14
, 2H095BB25
, 2H095BC05
, 2H095BC14
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