面発光型レーザ及び半導体発光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998160680
Publication number (International publication number)：1999354885
Application date： Jun. 09, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】活性層や導波路層の端面において反射が生ずることを抑制して発振特性を顕著に改善することができる面発光型レーザ及び半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】活性層あるいは導波路方向に対して垂直な側面を形成しない各種の構成を提案する。本発明のVCSELにおいては、活性層の側面部分には、垂直面が形成されないような形状に加工する。また、本発明のGCSELの場合は、導波路の端面に垂直面が形成されないような結晶面と導波構造との配置とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の第1の主面上に設けられた活性層とを備え、前記活性層から放出された光を前記基板の前記主面に対して略垂直な方向に出力する面発光型レーザであって、前記活性層のすべての側面は、前記半導体基板の前記主面に対して垂直でないものとして構成されていることを特徴とする面発光型レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

光機能素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-253108 Applicant：工業技術院長
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-129182 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-168545 Applicant：日本電気株式会社

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