
	Chemical structure search How to Search	Import MOLfile format is only available (V3000 format is not available) Exact match Substructure search Superstructure search Substructure or superstructure search Similarity search

Pat

J-GLOBAL ID：200903099543765009

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000215574
Publication number (International publication number)：2002031890
Application date： Jul. 17, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、ラインエッジラフネスが改善され、現像欠陥の発生が軽減されたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(NI)で示される繰り返し構造単位、下記一般式(NII)で示される繰り返し構造単位、及び下記一般式(I-1)〜(I-4)のいずれかで表される基を有する繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】【化3】一般式(NI)中、Rn1〜Rn4は、各々独立に水素原子又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。aは0または1である。一般式(NII)中、Rn5は、水素原子又はメチル基を表す。Aは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Wは、-C(Rna)(Rnb)(Rnc)で表される基あるいは-CH(Rnd)-O-Rneで表される基を表す。ここで、Rna、Rnb、Rncは、各々、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素数1個〜20個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。ただし、RnaとRnbは、互いに結合して共通に結合している炭素原子とともに脂環式環を形成してもよい。この場合、Rncは炭素数1〜4のアルキル基である。Rndとしては、水素原子又はアルキル基を表す。Rneとしては、置換基としてハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素数1〜20の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。一般式(I-1)〜(I-4)において、R1〜R5は、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。R1〜R5の内の2つは、結合して環を形成してもよい。

IPC (11)：

G03F 7/039 601 , C08F 16/12 , C08F 16/36 , C08F 20/10 , C08F 28/04 , C08F 32/00 , C08K 5/00 , C08K 5/16 , C08L 45/00 , C08L101/00 , H01L 21/027

FI (11)：

G03F 7/039 601 , C08F 16/12 , C08F 16/36 , C08F 20/10 , C08F 28/04 , C08F 32/00 , C08K 5/00 , C08K 5/16 , C08L 45/00 , C08L101/00 , H01L 21/30 502 R

F-Term (68)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB43 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BG061 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002ER027 , 4J002EU027 , 4J002EU047 , 4J002EU127 , 4J002EU137 , 4J002EU186 , 4J002EU207 , 4J002EU226 , 4J002EU237 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002FD318 , 4J002GP03 , 4J100AK32S , 4J100AL03Q , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL24Q , 4J100AL26Q , 4J100AM43S , 4J100AM45S , 4J100AM47S , 4J100AR09P , 4J100AR11P , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA03S , 4J100BA04P , 4J100BA05Q , 4J100BA06P , 4J100BA06Q , 4J100BA11R , 4J100BA11S , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA55S , 4J100BA58S , 4J100BB18S , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC08S , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-191559 Applicant：住友化学工業株式会社
新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-255167 Applicant：信越化学工業株式会社
ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-188853 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page


	Free word	※Add the following synonyms, you can increase the number of hits.




		～